Mémoire magistere

Simulation de la réponse des piéges profonds à la tension de la grille d'un transistor à effet de champ en arséniure de gallium (GaAs MESFET)

Nadjoua Djaalal, Auteur ; Nouredine Sengouga, Directeur de thèse | Biskra [Algerie] : Université Mohamed Khider | 2007

La réponse des pièges profonds localisés dans le substrat d'un transistor à effet de champ en GaAs (MESFETGaAs) à une tension inverse appliquer sur sa grille est un phénomène étrange. Dans ce travail ce phénomène est simulé numériquement par la [...]

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