Mémoire magistere

Modélisation des transistors effet de champ a point quantique par la methode des volumes finis

Ouahiba Boudib, Auteur ; A.zerarka, Directeur de thèse | Biskra [Algerie] : Université Mohamed Khider | 2005

Les structures de la matière à l’échelle nanométrique ont ouvert de larges champs d’étude. Dans ce travail, nous étudions le comportement des électrons dans le transistor à effet de champ qui consiste un point quantique de taille nanométrique. P[...]

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