Mémoire magistere

Modélisation d'un transistor MESFET en GaAs en utilisant le simulateur atlas-silvaco

Yazid Beddia, Auteur ; Lakhdar Dehimi, Directeur de thèse | Biskra [Algerie] : Université Mohamed Khider | 2013

Le transistor à effet de champ à barrière Schottky à l’Arséniure de Gallium noté MESFET GaAS est un des composants majeur utilisé dans les dispositifs électroniques. Ce travail a pour but de simuler numériquement l’influence des paramètres tech[...]

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