Mémoire magistere

Modelling the response of channel-substarte interface traps to the excitation of the substrate of gaas mesffts

Nora Amele Abdeslam, Auteur ; Nouredine Sengouga, Directeur de thèse | Biskra [Algerie] : Mohamed Khider university of Biskra | 2004

The backgating (or sidegating) phenomenon observed in n-channel GaAs FETs is simulated with the finite difference method by introducing deep levels (donors, acceptors) to the substrate which is initially n or p type. It is observed that if the s[...]

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Thése doctorat

Simulation bidimensionnelle de l’effet des pièges profonds dans le substrat sur les caractéristiques des transistors à effet de champ en Arséniure de Gallium (GaAs FETs)

Nora Amele Abdeslam ; Nouredine Sengouga, Directeur de thèse | Biskra [Algerie] : Université Mohamed Khider | 2013

Dans cette thèse, la réduction de la conductance des transistors GaAs FETs par une tension négative appliquée au substrat (effet backgating ou sidegating) a été modélisée numériquement dans le but de préciser quel est le type de piège responsabl[...]

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