Thése doctorat

Conception d'un amplificateur faible bruit LNA à base d'un transistor à effet de champ à hétérojonction pHEMT

Zahra Hamaizia, Auteur ; Lakhdar Dehimi, Directeur de thèse | Biskra [Algerie] : Université Mohamed Khider | 2011

Au cours des ces dernières années, un progrès a été réalisé avec succès dans le domaine de la conception et la mise en œuvre des circuits MMIC employant des semi-conducteurs composés comme GaAs et InP . Une des applications les [...]

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Thése doctorat

Contribution à la modélisation non linéaire et l’optimisation des transistors à effet de champ à hétérojonction par des méthodes intelligentes

Zine-eddine Touati, Auteur ; Zahra Hamaizia, Directeur de thèse | Biskra [Algerie] : Université Mohamed Khider | 2019

Les transistors à hétérostructures MOS-HEMT à base de nitrure type AlGaN/GaN apparaissent comme les meilleurs candidats pour les applications hyperfréquences, de puissance, et haut température. Dans ce travail, nous avons contribué au développem[...]

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