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Résumé :
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Les structures à base d'Arséniure de Gallium (GaAs) sont utilisées en tant que composante à haute vitesse électroniques, optoélectroniques, composant à faible puissance, détecteurs à puits quantiques(Quntum Well :QW) et les lasers. Les couches Well à GaAs sont dopées avec un dopant de type n (Si) pour fournir d'électrons dans les états d'AlGaAs et GaAs et dans le champs d'intérêt car il est plus profond que celui formé par la discontunuité de la bande de valence; il doit donc être observé à température plus élevé. La condition de base pour détecter ce QW avec succès et son emplacement dans la région de type n de la couche de déplection en polarisation inverse d'une jonction p-n ou barrière de Schottky pour un semiconducteur de type n. Dans les dispositifs électroniques tels que le métal-semiconducteur (MS) diode shottky, métal-isolant-semiconducteur (MIS), les céllules solaires et les jonctions pn, un certain nombre de mécanismes de transport de courant comme émission thermoionique (TE), émission du champs thermoionique (Thermoionic Field Emission : TFE), Génération-recombinaison, l'injection des porteurs minoritaires, effet tunnel à plusieurs étapes et le courant de fuite, l'un d'eux peuvent dominer les autres à une certaine température et région de tensions. Cepenant, la contribution simultanée de deux ou plusieurs mécanismes pourait également être possible. Dans de tels dispositifs le prédominant mécanisme de transport de courant (Current Transport Mecanism: CTM) dépend de divers paramètres tels que le processus de préparation de surface, la formation de la hauteur de barrière (BH) à polarisation métal/semiconducteur (M/S) d'interface, la concentration des porteurs dans les semiconducteurs, la densité des états de surface, température de l'échantillon et tension appliquée. Dans ce projet on s'interresse à l'étude des lasers single quntum well (SQW) en polarisantion directe et inverse dans la gamme de température de 80 à 360 K. L'objectif principal de cette étude est représenter quelques caractériqtiques électriques interressantes tels que les prédominantes CTMs et l'effet de la température.
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