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Titre :
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Simulation de la réponse des piéges profonds à la tension de la grille d'un transistor à effet de champ en arséniure de gallium (GaAs MESFET)
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Auteurs :
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Nadjoua Djaalal, Auteur ;
Nouredine Sengouga, Directeur de thèse
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Support:
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Mémoire magistere
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Editeur :
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Biskra [Algerie] : Université Mohamed Khider, 2007
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Langues:
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Français
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Mots-clés:
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Éléments finis
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Méthode des
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Arséniure de gallium
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Transistors à effet de champ
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Résumé :
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La réponse des pièges profonds localisés dans le substrat d'un transistor à effet de champ en GaAs (MESFETGaAs) à une tension inverse appliquer sur sa grille est un phénomène étrange. Dans ce travail ce phénomène est simulé numériquement par la méthode des différences finies, on montre qu'une faible tension appliquer sur la grille peut modifier la position du niveau d'énergie des pièges profond par rapport au niveau de fermi dans le substrat, l'augmentation de la tension a un effet sur l'occupation seulement si la densité de ces pièges dépasse un certain seuil. Les pièges donneurs réduit l'effet des pièges accepteurs lorsqu'ils sont présents avec une densité importante. La présence des pièges accepteurs dans le substrat augmente la zone de charge d'espace dans le canal et diminue le courant, la jonction canal substrat devient une jonction symétrique en présence des pièges et le substrat semi isolant devient un semi conducteur car la densité des porteurs libres augments.
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