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Résumé :
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Les couches minces d'oxyde d'indium ont été déposées par la technique de sol-gel spin coating en utilisant du nitrate hydraté d'indium (III), l'éthanol absolu et l'acétylacétone comme précurseur, solvant et stabilisant, respectivement. Les effets de la concentration molaire, la température de recuit, dopage par le titane et dopage par le cuivre sur les propriétés structurelles, morphologiques, optiques et électriques des films d’In2O3 ont été étudiés. Tous les films ont été caractérisés par de nombreuses techniques telles que la diffraction des rayons X (DRX), la spectroscopie UV-Visible, le microscope électronique à balayage (MEB), la spectroscopie à photoluminescence (PL), la spectroscopie infrarouge à transformée de Fourier (IR-TF) et la méthode de quatre points pour étudier les propriétés physiques des films d'oxyde d'indium. L'analyse par diffraction des rayons X a montré que les films sont de nature polycristalline et présentent une structure cristalline cubique avec une orientation de croissance préférée selon le plan (222). Les images de MEB montrent que les films sont des surfaces homogènes, uniformes et denses, sans aucune de porosité et fissures. La transmittance des couches d’In2O3 était élevée jusqu'à 90% et est probablement liée à la bonne qualité cristalline des films. Le gap optique variait entre 3,5 et 4.0 eV. Les mesures de photoluminescence ont révélé principalement trois pics d'émission (ultraviolets, bleus et verts) correspondant aux émissions de bord proche de la bande et des niveaux des défauts. Le large pic de luminescence ultraviolet 310-420 nm est attribué à l'émission de bord proche de la bande. Les luminescences bleue et verte sont attribuées à l'émission des niveaux des défauts. Les mesures électriques ont révélé que les couches préparées d’In2O3 dopées par Cu ont une faible résistivité (autour de 1.77×10-3–6.34×10-3 (Ω.cm)), ce qui rend ces films adaptés aux applications optoélectroniques.
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