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Résumé :
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Notre étude a porté sur la déposition et la caractérisation des films minces de d'oxyde d'indium non dopés et dopés obtenus par technologie de spray ultrasonique en vue d'obtenir des propriétés adaptées aux applications optoélectroniques, où: Premièrement, nous avons étudié les films d'oxyde d'indium non dopés avec différents paramètres tels que: débit de la solution, concentration molaire de la solution et effet du type de substrats. Deuxièmement, nous avons étudié l'effet du dopage par l'antimoine et le molybdène sur l'oxyde d'indium, puis nous l'avons caractérisé par différentes techniques telles que: DRX, MEB, EDS, spectroscopie UV, spectroscopie FTIR, spectroscopie lumineuse et technique à quatre points. Les principaux résultats obtenus sont: L'oxyde d'indium cristallise avec une structure polycristalline par une structure cubique et c'est un semi-conducteur de type n avec une bande interdite Eg. Il a un largeur entre 3,25-4,1 eV pour tous les films qui ont une transmittance élevée jusqu'à 85% avec une conductivité électrique disparate, ces propriétés peuvent être utilisées dans de nombreuses applications dans les domaines optoélectroniques et photovoltaïques.
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