Titre : | Etude de la quantification de conductance dans les transistors a effet de champ a grande mobilité électronique |
Auteurs : | Malika Nouadji, Auteur ; Mohamed Souri Mimoune, Directeur de thèse |
Support: | Mémoire magistere |
Editeur : | Biskra [Algerie] : Université Mohamed Khider, 2005 |
Langues: | Français |
Mots-clés: | Magister : Physique : Biskra, Université Mohamed kheider. Faculté des Sciences et des Sciences de l'Ingénieur : Université de Mohamed kheider de Biskra : 2005 |
Résumé : | Nous avons étudié le transport quantique des porteurs dans un transistor à effet de champ à grande Mobilité Electronique HEMT à hétérojonction GaAs/AlGaAs par un champ électrique externe (polarisation de drain) en fonction de la polarisation de la grille. Nous avons montré quand la taille du transistor est réduite vers l’échelle nanométrique de sorte que les effets quantiques deviennent importants. Les caractéristiques opérationnelles du transistor sont dominées par l'effet de la quantification de la conductance à la polarisation infiniment petite du drain et à la température zéro. Nous présentons dans ce travail une solution numérique basée sur la méthode des volume finis pour montre les effets de la conductance. |
Exemplaires (1)
Cote | Support | Localisation | Disponibilité | Emplacement |
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the/4676 | Mémoire magistere | Bibliothèque centrale El Allia | Exclu du prêt | Salle de consultation |
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