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Titre :
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Croissance cristalline de saphir non dopé préformé et étude deseffets de la matière première et des vitesses de tirage sur la distribution des bulles et la qualité cristalline
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Auteurs :
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El hadj Ahmed Ghezal, Auteur ;
Lakhdar Guerbous, Directeur de thèse
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Support:
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Thése doctorat
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Editeur :
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Biskra [Algerie] : Université Mohamed Khider, 2013
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Note générale :
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croissance, cristalline, cristallogenèse, saphir, transfert, radiatifs
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Langues:
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Français
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Résumé :
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Nous étudierons dans cette thèse les phénomènes de transparence des bains liquides d’Al2O3. Les performances du saphir dépendent des conditions de croissance cristalline et surtout de la maitrise du comportement du bain liquide à haute température (2050°C). Pour faire croitre un cristal de saphir de bonnes qualité, il est indispensable de contrôler plusieurs paramètres (vitesses de tirage, l’orientation du germe, les convections, la turbulence du bain. La non maitrise de ces paramètres provoquent des défauts (bulles, dislocations, joints de grains, ségrégation du dopants) irrémédiables responsables de la dégradation des performances optiques (lasers du saphir). A notre connaissance, de grosses incertitudes subsistent toujours sur l’identification de ces défauts et de leurs origines. Si on arrive à comprendre ces phénomènes, nous ferons des avancés considérables pour mieux maîtriser la cristallogenèse du saphir et d’améliorer ces performances. Des mesures d’échanges thermiques en cours de croissance par les méthodes de tirage Czochralski (Cz) et micro-Pulling Down (μ-Pd) auront lieu au LPCML de Lyon
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