| Titre : | Modélisation quantique d'un transistor à effet de champ hétéro-jonction à base sige par la méthode des volumes finis |
| Auteurs : | Samira Laznek, Auteur ; Mohamed Souri Mimoune, Directeur de thèse |
| Support: | Mémoire magistere |
| Editeur : | Biskra [Algerie] : Université Mohamed Khider, 2005 |
| Langues: | Français |
| Résumé : | Le modèle du transistor Si/Si1-xGex contraint avec des couches -dopé d'être développé. Quand les dimensions de ces composants deviennent de plus en plus très petite, Cela nous emmène à prendre en considération les effets quantiques. On utilise le modèle quantique pour étudier les effets des différentes transitions de la bande de conduction et la variation entre le canal Si et la couche -dopée type n et l'épaisseur de cette couche -dopée à la température ambiante. Nous avons trouvé qu'une grande variation de bande conduction ou du fraction molaire du Ge, les électrons sont confinés plus grand dans le canal Si. La surface entre le Si canal et la couche -dopée forme une barrière de potentiel, quand la barrière est petite la majorité des électrons trouve dans le cana |
Exemplaires (2)
| Cote | Support | Localisation | Disponibilité | Emplacement |
|---|---|---|---|---|
| TH/4690 | Mémoire magistere | Bibliothèque centrale El Allia | Exclu du prêt | Salle de consultation |
| TH/4690 | Mémoire magistere | Bibliothèque centrale El Allia | Exclu du prêt | Salle de consultation |
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