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Résumé :
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Dans ce travail, différents mécanismes de transport ont été étudié. Des mesures expérimentales pour plusieurs diodes à base de 4H-SiC ont été utilisées avec implantation d’Aluminium. Ces derniers sont étudiés aussi au moyen de simulations numériques dans une large gamme de courants et de températures. Les diodes pour lesquels les courants de recombinaison et de tunnels sont les plus dominants sont classées comme " diodes de fuites ". Par contre les diodes " bien comportés ", montrant des bonnes caractéristiques de redressement avec un courant de conduction en raison d’un courant de tunnel au-dessous de 1,7 V, recombinaison entre 1,7 V et 2,5 V, et les processus de diffusion supérieure à 2,5 V. Aux régimes ou le courant est plus élevées, une résistance série de plus de 1mΩcm2 devient le principal facteur de limitation de courant. En fonction du poids relatif entre les résistances de contact et la résistance interne de la diode, on obtient différentes dépendances de température du courant. Un bon accord entre les données numériques et mesurées est atteint par la dépendance entre la température et la durée de vie d’une part et la mobilité d’autre part des porteurs de charge comme paramètres d’ajustement. Le carbure de silicium (SiC) fournit une solution de remplacement en tant que matériau résistant au rayonnement, en raison de sa large bande interdite et des énergies de déplacement atomiques plus élevé, des composants à base de SiC seront conçues pour des applications dans des environnements de rayonnement. Toutefois, la tolérance de rayonnement et la fiabilité de ces composants doit être compris par des essais dans des environnements de rayonnement contrôlées. Ces types d'études ont déjà été étudiés sur des diodes et des MESFETs, mais des composants multicouches tels que des transistors à effet de champ bipolaires modulé (BMFET) ne sont pas encore été étudiés. A cet effet l'implantation de certains défauts dans le substrat du BMFET montre que la dégradation des performances du composant produit par des concentrations élevées de défauts ainsi des sections de capture plus élevée a un effet négatif sur les caractéristiques de sortie. Les défauts induits par radiation à la couche active (canal) ont également été examinée dans cette thèse. Il a été montré aussi que le canal est endommagé par les radiations (défauts provoqués) ionisants provoque une réduction du gain en courant. En outre, des mesures ont été effectuées sur des diodes à base de 4H-SiC pour étudier les performances optiques, tel que le courant d'obscurité, la réponse spectrale et photocourant. La performance a été améliorée en ce qui concerne le rapport signal à bruit, qui est le même dans le cas du rapport courant photoélectrique à d'obscurité
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