| Titre : | Simulation du profil du potentiel dans les CCD irradiés |
| Auteurs : | Dahmane Dejendaoui, Auteur ; Lakhdar Dehimi, Directeur de thèse |
| Support: | Mémoire magistere |
| Editeur : | Biskra [Algerie] : Université Mohamed Khider, 2006 |
| Langues: | Français |
| Mots-clés: | CCD irradiés ; Simulation du profil ; Charge CCD ; Modèle analytique et numérique |
| Résumé : | Les dispositifs à transfert de charge (CCD : charge coupled device) ont trouvé des applications dans le domaine de la physique énergétique comme une base de détection de particules (transducteurs). A cause de leurs haute précision et haute résolution les CCD seront utilisés comme détecteurs de particules dans les accélérateurs linéaires de haute énergie. Dans leur opération, ils sont soumis aux effets des particules, ce qui entraîne la dégradation de leur performance |
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| Cote | Support | Localisation | Disponibilité | Emplacement |
|---|---|---|---|---|
| TH/959 | Mémoire magistere | Bibliothèque centrale El Allia | Exclu du prêt | Salle de consultation |
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