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Titre :
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Modélisation d'un transistor MESFET en GaAs en utilisant le simulateur atlas-silvaco
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Auteurs :
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Yazid Beddia, Auteur ;
Lakhdar Dehimi, Directeur de thèse
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Support:
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Mémoire magistere
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Editeur :
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Biskra [Algerie] : Université Mohamed Khider, 2013
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Langues:
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Français
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Mots-clés:
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Simulation
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défauts
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silvaco
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GaAs
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Résumé :
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Le transistor à effet de champ à barrière Schottky à l’Arséniure de Gallium noté MESFET GaAS est un des composants majeur utilisé dans les dispositifs électroniques. Ce travail a pour but de simuler numériquement l’influence des paramètres technologiques tel que longueur de grille, épaisseur et dopage du canal et l’effet des pièges accepteurs et donneurs présent dans le substrat sur les caractéristiques courant-tension en utilisant le simulateur Atlas Silvaco, Technical Computer Aided Design (TCAD). En présence des pièges donneurs aucun effet n’est observé sur les caractéristiques courant-tension. Cependant les pièges accepteurs ont un effet considérable sur les caractéristiques courant-tension. Les résultats ont montré qu’en présence des pièges accepteurs la zone de charge d’espace augmente dans le canal ce qui réduit le courant de drain. Les résultats ainsi obtenus sont en bon accord avec les résultats existant.
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