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Résumé :
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Depuis plus d’une décennie, les matériaux III-V sont intensément étudiés pour des applications optoélectroniques dans l’UV et le bleu. En 2003, le gap d’énergie de l’InN est abaissé à 0,7ouvrant la voie à des alliages pouvant couvrir quasiment tout le spectre solaire. En particulier, l’alliageInGaN fut largement étudié pour des applications photovoltaïques grâce à sa large couverture spectrbonnes caractéristiques électriques et sa résistance à de fortes puissances. Dans ce contexte, nous avons étudiés le fonctionnement des cellules photovoltaïques à base d’InGaN par la simulation numériquedimensions sous éclairement avec un spectre AM1.5 effectuées sous SILVACO/ATLAS. Nous définissellule de référence avec un ensemble de paramètres physiques, afin d’analyser leurs influences sur endement de conversion. Ainsi, plusieurs paramètres sont retenus : le dopage et le dimensionnemeégions n et p de la cellule, ainsi que dopage et le dimensionnement des couches BSF et Fenêtre.
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