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Résumé :
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Métal-semiconducteur (MS) sont des structures importantes de recherche des outils pur la caractérisation des nouveaux matériaux semi-conducteur, et en même temps, la fabrication de ces structures joue un rôle essentiel dans la construction de certains appareils utiles en matière de technologie. Phosphure d'indium (InP) est un matériau semi-conducteur composé pour les dispositifs électronique et optoélectronique à grande vitesse de. Grâce à sa largeur de bande interdite directe, grande mobilité électronique, vitesse de saturation élevée et la tension de claquage qui sont très importantes dans des dispositifs électronique. La plupart des études de diode à barrière de Schottky (SBD) formées sur le n-InP sont limitées à la détermination de la hauteur de la barrière de Schottky (SBH) à la température ambiante par la mesure des caractéristiques courant-tension (IV) ou de la caractéristique capacité-tension (CV) des diodes. Par conséquent, l'analyse des courant-tension (IV) des SBD à la température ambiant ne donne pas seulement dés information détaillées des au sujet de leur processus de conduction ou de la nature de la barrière formée au niveau d'interface métal-semi—conducteur (MS). D'autre part, les étude dépendant de la température des contact Schottky permettent de comprendre les différent aspects des mécanismes de conduction. La fort dépendance de la hauteur de la fois et le facteur d'idéalité. Diode à barrière de Schottky (SBD) formées par dépôt de divers métaux sur InP de type n ont été étudiés sur une large plage de la barrière de température. Les objectifs du Cette thèse est La modélisation et simulation numérique des caractéristique électriques courant-tension et capacité-tension de la diode à à barrière de Schottky (SBD) formées sur le phosphure d'indium de type n (n-InP) dans une plage de température afin d'expliquer les résultats exprémentaux et d'évaluer les principaux paramètres qui caractérisent la diode Schottky tel que le facteur d'idéalité, la hauteur de la barrière, la résistance série…
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