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Titre :
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Evaluation de la résistance aux radiations nucléaires des diodes en Arséniure de Gallium (GaAs)
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Auteurs :
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Abdelghani Hamache ;
Abd Allah Attaf, Directeur de thèse
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Support:
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Mémoire magistere
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Editeur :
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Biskra [Algerie] : Université Mohamed Khider, 2010
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Format :
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a4
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Note générale :
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Magister : Université Mohamed Khider de Biskra , Département des Scienc : 2010
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Langues:
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Français
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Résumé :
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Dans ce présent travail, nous avons étudié l’effet de l’irradiation aux protons sur les caractéristiques électriques d’une structure p+nn+ à base de l’arséniure de gallium GaAs utilisée comme détecteur de particules. Les caractéristiques électriques courant-tension et capacité-tension sont simulées par résolution numérique des équations de transport dans les semi conducteurs : l’équation de Poisson et les deux équations de continuités pour les électrons et les trous, en introduisant les paramètres de défauts donneurs et accepteurs induits par l’irradiation aux protons. La simulation nous a permis par suite de déduire l’évolution des caractéristiques courant-tension et capacité-tension en fonction de l’énergie et la fluence des protons afin d’évaluer le courant de fuite et la tension de déplétion de la structure étudiée avant et après l’irradiation. On a trouvé que les détecteurs de qualité normale sont plus résistants aux irradiations
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