| Titre : | Etude comparative de la dureté (hardness) des détecteurs P+N-N+ et N+P-P+ au silicium |
| Auteurs : | Kheira Ben Naceur ; Nouredine Sengouga, Directeur de thèse |
| Support: | Mémoire magistere |
| Editeur : | Biskra [Algerie] : Université Mohamed Khider, 2006 |
| Langues: | Français |
| Résumé : | Dans ce travail, l'effet des radiations sur une diode au silicium utilisée comme détecteur de particule est simulé numériquement. Ces radiations créent des défauts qui ont des effets indésirables et donc on peuvent dégrader les performances des détecteurs. L'étude est une comparaison de la dureté des détecteurs ayant différentes structures : p+ n- n+ et n+ p- p+. La dureté est caractérisée par les taux d'introduction des défauts (?) et (?). En partant des valeurs expérimentales de ? et ?, la tension de déplétion (Vdep) est évaluée à partir des caractéristiques capacité-tension en polarisation inverse pour différentes fluences d'irradiations (?) pour les deux structures. La densité des défauts crée par l'irradiation est proportionnelle à la fluence. La comparaison entre les deux structures |
Exemplaires (3)
| Cote | Support | Localisation | Disponibilité | Emplacement |
|---|---|---|---|---|
| TH/943 | Mémoire magistere | Bibliothèque centrale El Allia | Exclu du prêt | Salle de consultation |
| TH/943 | Mémoire magistere | Bibliothèque centrale El Allia | Exclu du prêt | Salle de consultation |
| TH/943 | Mémoire magistere | Bibliothèque centrale El Allia | Exclu du prêt | Salle de consultation |
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