Titre : | Conception d'un amplificateur faible bruit LNA à base d'un transistor à effet de champ à hétérojonction pHEMT |
Auteurs : | Zahra Hamaizia, Auteur ; Lakhdar Dehimi, Directeur de thèse |
Support: | Thése doctorat |
Editeur : | Biskra [Algerie] : Université Mohamed Khider, 2011 |
Langues: | Français |
Mots-clés: | Amplificateur HEMT ; Modélisation ; Microonde ; Circuit électronique analogique |
Résumé : |
Au cours des ces dernières années, un progrès a été réalisé avec succès dans le domaine de la conception et la mise en œuvre des circuits MMIC employant des semi-conducteurs composés comme GaAs et InP . Une des applications les plus excitantes de cette technologie est le Square Kilometer Array (SKA) radiotélescope. L'objectif principal de ce travail est la conception d'un MMIC LNA large bande dans la bande L (0.4-2 GHz). Le facteur de bruit doit être le plus bas possible et le gain élevé et plat dans la bande d’intérêt. Les paramètres du modèle linéaire petit signal et du modèle non linéaire large signal ont été extraits pour plusieurs transistors à partir des mesures expérimentales. Laconception de deux amplificateurs à faible bruit basés sur des transistors InP-pHEMT de 1 μm de longueur de la grille utilisant deux topologies. La première est un circuit à cellule cascode avec un gain maximum de 15 dB et un facteur de bruit de 0.61dB, alors que la seconde est un amplificateur double étages cascadés avec 33 dB de gain et 0.63 dB de facteur de bruit. Les deux amplificateurs cascode et double étage montrent un point de compression à 1 dB de -13 dBm et 2 dBm respectivement et un point de d’interception d’entrée d'ordre 3 IIP3 de -20 dBm et -23 dBm, respectivement.Mots-Clés: Amplificateur HEMT; Modélisation ; microonde; circuit électronique analogique. |
Exemplaires (4)
Cote | Support | Localisation | Disponibilité | Emplacement |
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TH/1257 | Thèse doctorat | Bibliothèque centrale El Allia | Exclu du prêt | Salle de consultation |
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