| Titre : | Caractérisation des diodes Schottky en AlGaAs dopé p et n par silicium sur un substrat GaAs d'orientation conventionnelle |
| Auteurs : | Walid Filali, Auteur ; Nouredine Sengouga, Directeur de thèse |
| Support: | Thése doctorat |
| Editeur : | Biskra [Algerie] : Université Mohamed Khider, 2014 |
| Langues: | Français |
| Mots-clés: | AlGaAs ; Capacité-tension ; Courant-tension ; Facteur d’idéalité ; Hauteur de la barrière ; Schottky diodes ; Semi-conducteurs |
| Résumé : |
L’avantage des composants semi-conducteurs dans la conception et la fabrication de circuits électroniques (analogiques et numériques) dépend principalement de leur qualité.La caractérisation de ces dispositifs est une étape nécessaire. Cette caractérisation peut être de type électrique, optique ou structurel. Dans ce travail, nous nous intéressons principalement à la caractérisation électrique, tel que la mesure des caractéristiques courant-tension et capacité-tension. Ces caractéristiques sont très sensibles à la température ainsi qu’à d’autres paramètres comme, la fréquence du signal électrique et la surface de l’échantillon. De ce fait, nous avons procédé à des mesures expérimentales et des simulations technologiques afin d’illustrer ces effets et déduire des interprétations liés de ces derniers.La jonction métal-semiconducteur est une structure de base dans l'industrie de composants à base de semi-conducteurs, car elle est utilisée dans des nombreux dispositifs importants. Dans ce travail, deux structures de diodes Schottky de type-n Ti / Au / n-AlGaAs / n-GaAs / n-AlGaAs MQW et de type-p AlGaAs nommées par NU1054 et NU1362 respectivement ont été étudiées par des mesures de courant-tension et de capacité-tension sous différents condition tels que la température dont l’intervalle est de 20Kà 400K ,la fréquence et la surface en présence de défauts et de courant de tunnel.L’extraction des paramètres tels que le facteur d’idelaité, la hauteur de la barrière, courant de saturation et la résistance série pour l’échantillon NU1054 c'est fait.Les résultats obtenus donnent une explication précise de l'effet de l'inhomogénéité de la barrière Schottky,et aussi sur les résultats de la tracé de Richardson et la courbe de Richardson modifiée en utilisant la méthode de Cheung, ainsi que donne une explication de la valeur élevée du facteur d'idéalité ~ 40 obtenu à basse température 20K. |
Exemplaires (2)
| Cote | Support | Localisation | Disponibilité | Emplacement |
|---|---|---|---|---|
| TH/2117 | Thèse doctorat | Bibliothèque centrale El Allia | Exclu du prêt | Salle de consultation |
| TH/2117 | Thèse doctorat | Bibliothèque centrale El Allia | Exclu du prêt | Salle de consultation |
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