Titre : | Calcul de l'efficacité de collection de charge (CCE) d'un détecteur au silicium dans les conditions d'irradiation du LHC |
Auteurs : | Mouhamed Saidi ; Nouredine Sengouga, Directeur de thèse |
Support: | Mémoire magistere |
Editeur : | Biskra [Algerie] : Université Mohamed Khider, 2007 |
Langues: | Français |
Mots-clés: | Radiation, CCE, Piège, détecteur. |
Résumé : |
Le présent travail, destiné pour calculer l’efficacité de collection de charge (CCE) d’une structure p+n-n+ au silicium (utilisée comme détecteur de particules) qui est calculée par un modèle mathématique basé sur le profile du champ électrique. Ce dernier et la tension de déplétion sont déterminés numériquement. Le calcul de la CCE est présenté pour deux modèles de niveaux de pièges accepteurs, l'un situé prés du midgap et l'autre profond. Lorsque la diode est soumise à de fortes radiations, des défauts structuraux sont créés. Ces défauts se manifestent comme des pièges profonds au milieu du gap.
L’effet de ces défauts sur la diode se traduit par l’inversion de type. L’efficacité de collection de charge en polarisation inverse est étudiée pour les modèles de niveaux de pièges. Les résultats observés pour un piège profond montrent que la CCE se dégrade considérablement en présence d'un piège profond. L'effet d'un piège à midgap sur la CCE se réduit à la tension de déplétion qui varie en fonction de la dose de radiation. Ainsi la CCE atteint – elle sa valeur maximale de 100% à la tension de déplétion. L'effet de la température sur la CCE est étudié pour les deux pièges. La température n'a aucun effet sur la CCE en présence des pièges à midgap. par contre, la CCE est affectée par la température en présence des pièges profonds. Les résultats trouvés sont en conformité avec les résultats d'expérimentation et de simulation existants. |
Exemplaires (4)
Cote | Support | Localisation | Disponibilité | Emplacement |
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TH/1194 | Mémoire magistere | Bibliothèque centrale El Allia | Exclu du prêt | Salle de consultation |
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