| Titre : | Caractérisation du courant (I-V) de transistor à un électron (SET) |
| Auteurs : | Benamor Oumaima, Auteur ; Bensdira Yousra, Auteur ; Ouahiba Boudib, Directeur de thèse |
| Type de document : | Monographie imprimée |
| Editeur : | Biskra [Algérie] : Faculté des Sciences Exactes et des Sciences de la Nature et de la Vie, Université Mohamed Khider, 2022 |
| Format : | 1 vol. (55 p.) |
| Langues: | Français |
| Mots-clés: | transistor à un électron, SET, point quantique , NEGF |
| Résumé : |
Le Transistor à un électron (SET) est un candidat majeur qui est utilisé dans les nanotechnologies électroniques. L’objectif de ce travail est de faire une étude numérique de caractéristique du courant drain-source en fonction de la tension de la grille (Ids - Vg) ou de la tension du drain (Ids - Vd) de transistor à un électron et on a étudié les paramètres qui sont influencés par le simulateur Atlas-Silvaco TCAD (Technical Computer Aided Design. On a résolu les équations Schrödinger-Poisson, à l’aide du formalisme des fonctions de Green hors équilibre (NEGF). On a calculé les caractéristiques du courant de transistor (SET) en fonction de la tension du drain ou de la grille sous l'effet des paramètres physiques ou géométriques. On a obtenu que le courant augmente avec l'augmentation de la tension du drain, le dopage des régions (source - drain), la température, la longueur de grille et il décroit avec l'augmentation de la largeur des jonctions. Ces résultats accordent avec les résultats expérimentaux et d'autres méthodes numériques. |
| Sommaire : |
Liste des figures i Liste des tableaux iv Table des notations v Introduction générale 2 Chapitre I : L’etat de l’art sur le transistor à un électron I.1. Introduction 4 I.2. Historique 4 I.3. Structure du transistor à un électron (SET) 4 I.4. Principe de fonctionnement du SET 5 I.5. Effet de Blocage de Coulomb 8 I.6. Caractérisation du courant de SET 9 I.6.1. l’effet de la température sur le courant 11 I.6.2. l’effet de la polarisation de la tension du drain sur le courant 13 I.7. Application du SET 14 I.7.1. Capteur de charge 14 I.7.2. Détection des radiations infrarouges 14 I.7.3. Spectroscopie à un électron 14 I.7.4. Etalon de courant continu 14 I.7.5. Etalon de temperature 14 I.7.6. Transistors programmables 14 I.8. Avantages et inconvénients des SET 15 I.9. Etude théorique du SET 16 I.9.1. Calcul d’énergie totale d’ilot 16 I.9.2. Transport dans le transistor SET 18 I.10. Etude quantique 20 I.10.1 L’approche « espace des modes » 21 Références 22 Chapitre II : Simulateur Atlas-Silvaco II.1.Introduction 25 II.2. Définition 25 II.3. Application du Atlas-Silvaco 27 II.4. Spécification de la structure 28 II.4.1. Maillage (Mesh) 28 II.4.2. Région 29 II.4.3. Electrodes 30 II.4.4. Dopage 31 II.5. Les matériaux et modèles utilisés 32 II.5.1. Contact 32 II.5.2. Matérial 32 II.5.3. Modèles physiques 33 II.5.4. Interface 33 II.6. Méthode numérique 33 II.7. Spécification de la solution 33 II.7.1. SOLVE 34 II.7.2. LOG 34 II.7.3. SAVE 34 II.7.4. LOAD 34 II.8. Extraction des données et traçage 34 II.9. Tonyplot 34 Références 35 Chapitre III : Résultats et discussion III.1.Introduction 38 III.2. Structure du modèle utilisé 38 III.3. Etude électrostatique 39 III.3.1. Distribution du potentiel 39 III.4. Calcul du courant 41 III.4.1. Caractéristique du courant en régime linéaire et non linéaire 41 III.4.2. Caractéristique du courant Ids -Vds 42 III.5. Calcul du coefficient de transmission d’électron 44 III.6. Effet des paramètres géométriques 46 III.6.1 Effet de la longueur de grille Lgsur le courant 46 III.6.2. Influence de la largeur de la barrière AlGaAs sur le courant 47 III.7. Effet des paramètres physiques 48 III.7.1. L’effet de dopage sur le couranT 48 III.7.2. Influence de la tension du drain sur le courant (Ids-Vg) 49 III.7.3. l’effet de la température sur le courant 50 III.7.3.1. En régime linéaire 50 III.7.3.2. En régime non linéaire 51 Références 53 Conclusion générale 55 |
Disponibilité (1)
| Cote | Support | Localisation | Statut |
|---|---|---|---|
| MPHY/589 | Mémoire master | bibliothèque sciences exactes | Empruntable |
