| Titre : | Simulation des diodes électroluminescentes: Effet de la température |
| Auteurs : | Zineb Hamida, Auteur ; Nour Hamdi, Auteur ; Toufik Tibermacine, Directeur de thèse |
| Type de document : | Monographie imprimée |
| Editeur : | Biskra [Algérie] : Faculté des Sciences Exactes et des Sciences de la Nature et de la Vie, Université Mohamed Khider, 2021 |
| Format : | 1 vol. (55 p.) / couv. ill. en coul / 30 cm |
| Langues: | Français |
| Mots-clés: | Diodes électroluminescentes, InGaN/GaN, Puits quantiques, Température, Simulation, SILVACO-ATLAS, |
| Résumé : |
Dans ce travail, nous avons étudié et simulé une diode électroluminescente à un seul puits quantique basé sur le matériau InGaN à l’aide du logiciel SILVACO-ATLAS. Cette simulation nous a permis de tirer les caractéristiques de la LED, et de déterminer l’influence de la température sur les taux de recombinaisons radiatives, la caractéristique
courant-tension (I-V), la caractéristique puissance optique-courant (P-I), la puissance spectral, l’efficacité quantique interne et externe. Nous avons trouvé que chaque fois la température augmente les recombinaisons, le courant et la largeur des spectres augmente et chaque fois la température augmente la puissance optique et l'efficacité quantique diminue. |
| Sommaire : |
Remerciements Dédicaces Résumé Sommaire Liste des Tableaux Liste des Figures Introduction générale 1 Chapitre I: Généralités sur les semi-conducteurs III-V I.1.Introduction 4 I.2.Différents types des matériaux solides 4 I.2.1.Conducteurs 4 I.2.2.Isolants 4 I.2.3.Semi-conducteurs 5 I.3.Différents groupes des semi-conducteurs 5 I.4.Dopage des semi-conducteurs 6 I.4.1.Semi-conducteur type N 6 I.4.2.Semi-conducteur type P 6 I.5.Matériaux de semi-conducteurs III-V 7 I.5.1.Composés binaires 8 I.5.2.Composés ternaires et quaternaires 9I.6.Mécanismes de recombinaison 9 I.6.1.Recombinaison radiative 9 I.6.2.Recombinaison Auger 10 I.6.3.Recombinaison Shockley-Read-Hall 10 I.6.4.Recombinaison en surface 11 1.7.Structure cristallographique 12 I.8.Bande interdite de GaN 13 I.9.Description de InGaN 14 I.10.Couche de AlGaN 15 I.11.Puits quantiques InGaN/GaN 15 Chapitre II: Notions fondamentales sur les diodes électroluminescentes II.1.Introduction 17 II.2.Historique 17 II.3.Diodes électroluminescentes 18 II.3.1.Définition 18 II.3.2.Principe de fonctionnement 19 II.3.3.Structure de base et fonctionnement 20 II.3.4.Caractéristique courant-tension des diodes électroluminescentes 22 II.4.Classification des diodes électroluminescentes 23 II.4.1.Classement selon la structure 23 II.4.1.1.Diodes électroluminescentes à homojonction 23II.4.1.2.Diodes électroluminescentes à hétérojonction 23 II.4.1.3.Diodes électroluminescentes à puits quantique 24 II.4.2.Classement selon la puissance 25 II.4.2.1.Diodes électroluminescentes de faible puissance 25 II.4.2.2.Diodes électroluminescentes de forte puissance 25 II.4.3.Classement selon le spectre d’émission 27 II.4.3.1.Diodes électroluminescentes chromatiques 27 II.4.3.2.Diodes électroluminescentes blanches 27 II.4.3.3.Diodes électroluminescentes infrarouges 28 II.5.Rendement lumineux des diodes électroluminescentes 29 II.6.Avantages et inconvénients des diodes électroluminescentes 29 II.6.1.Avantages 29 II.6.2.Inconvénients 30 Chapitre III: SILVACO et Résultats de simulation III.1.Introduction 32 III.2.Présentation du logiciel de simulation SILVACO 32 III.2.1.ATLAS 33 III.2.1.1.Deckbuild 34 III.2.1.2.Tonyplot 35 III.2.2.Equations de base de Semi-conducteur en ATLAS-SILVACO 36 III.2.3.Syntaxe d’un programme dans ATLAS 37III.2.3.1.Mesh 37 III.2.3.2.Région 37 III.2.3.3.Electrode 38 III.2.3.4.Doping 39 III.2.4.Spécification des paramètres des matériaux et modèles physique 39 III.2.4.1.Matériaux 39 III.2.4.2.Modèles 40 III.2.5.Sélection de la méthode numérique 40 III.2.6.Spécification de Solution 40 III.2.6.1.Log 40 III.2.6.2.Solve 41 III.2.6.3.Save 41 III.2.7.Analyse des résultats 41 III.2.7.1.EXTRACT 41 III.2.7.2.TONYPLOT 41 III.3.Résultats de la simulation 42 III.3.1.Représentation de la structure simulée 42 III.3.2.Structure de bande d'énergie 43 III.3.3.Recombinaison Auger 43 III.3.4.Recombinaison Shockley-Read-Hall 44 III.3.5.Recombinaison radiative 45III.3.6.Caractéristique courant-tension 47 III.3.7.Puissance spectrale 49 III.3.8.Caractéristique puissance optique-courant 50 III.3.9.Efficacité quantique interne 51 III.3.10.Efficacité quantique externe 53 Conclusion générale 55 Bibliographie Résumé |
| Type de document : | Mémoire master |
Disponibilité (1)
| Cote | Support | Localisation | Statut |
|---|---|---|---|
| MPHY/572 | Mémoire master | bibliothèque sciences exactes | Consultable |
