| Titre : | Simulation de l’effet de dopage sur la résistivité électrique d’une couche mince semi-conductrice de ZnO |
| Auteurs : | Zineb Amraoui, Auteur ; Wafa Kamli, Auteur ; Toufik Tibermacine, Directeur de thèse |
| Type de document : | Monographie imprimée |
| Editeur : | Biskra [Algérie] : Faculté des Sciences Exactes et des Sciences de la Nature et de la Vie, Université Mohamed Khider, 2020 |
| Format : | 1 vol. (51 p.) / 30 cm |
| Langues: | Français |
| Mots-clés: | Couche mince,Résistivité électrique,Dopage,Technique de quatre pointes,SILVACO-TCAD |
| Résumé : |
Dans ce travail,on a simulé la méthode de quatre pointes colinéairespar le simulateur SILVACO TCAD. On a étudié l’effet de dopage sur la résistivité électrique et la mobilité sur unecouche mince de ZnO dopé n.On a observé la diminution des valeurs de la résistivité électrique en fonction de dopage à cause de l’augmentation de nombre des porteurs libres et on a aussi observé la diminution de la mobilité électrique en fonction de dopage à cause de diminution de libre parcours moyen crée par la distorsion dans le réseau cristallin de semi-conducteur àcause de dopage |
| Sommaire : |
Chapitre I: Couches minces semi-conductrices et résistivité électrique Chapitre II: Simulateur Silvaco TCAD-Atlas Chapitre III:Résultats de simulation |
Disponibilité (1)
| Cote | Support | Localisation | Statut |
|---|---|---|---|
| MPHY/533 | Mémoire master | bibliothèque sciences exactes | Consultable |
