| Titre : | Etude numérique des propriétés électriques d'un transistor à un électron par simulateur Atlas Silvaco |
| Auteurs : | Salma Lahreche, Auteur ; Ouahiba Boudib, Directeur de thèse |
| Type de document : | Monographie imprimée |
| Editeur : | Biskra [Algérie] : Faculté des Sciences Exactes et des Sciences de la Nature et de la Vie, Université Mohamed Khider, 2020 |
| Format : | 1 vol. (41 p.) / 30 cm |
| Langues: | Français |
| Mots-clés: | Transistor à un électron,SET,Point quantique,blocage de Coulomb |
| Résumé : |
Le transistor à un électron est un composant actuel et le plus utilisé dans le domaine nanoélectronique en raison lafaible consommation d'énergie eton peut utilisercomme détecteur car il est très sensible des charges ou bien dans les circuits intégrés il est combiné avec CMOS. L’objectifde ce travail est de ce faire une étude numérique sur les propriétés électriques dans ce dispositif en utilisant le simulateur Atlas Silvaco, (Technical Computer Aided Design (TCAD). Par résoudre les couples des équations Schrödinger-Poison, on se trouve la distribution d'énergie de potentielle dans ce transistor avec l'effet de polarisation de la grille sur le point quantique, de plus on a calculé les trois premiers d'états des fonctions d'ondes, des énergies et la densité des électrons. |
| Sommaire : |
Chapitre I : Généralité sur le transistor à un électron Chapitre II: Simulateur Atlas-Silvaco Chapitre III: Résultats et interprétation |
Disponibilité (1)
| Cote | Support | Localisation | Statut |
|---|---|---|---|
| MPHY/528 | Mémoire master | bibliothèque sciences exactes | Consultable |
