| Titre : | Modélisation quantique d’un transistor |
| Auteurs : | kamir Houili, Auteur ; kamilia bourous, Auteur ; Samira Laznek, Directeur de thèse |
| Type de document : | Monographie imprimée |
| Editeur : | Biskra [Algérie] : Faculté des Sciences Exactes et des Sciences de la Nature et de la Vie, Université Mohamed Khider, 2019 |
| Format : | 1 vol. (48 p.): couv. ill. en coul / 29 cm |
| Langues: | Français |
| Mots-clés: | transistor HEMT,puits quantique,hétérojonctions |
| Résumé : |
Le modèle du transistor GaAs/AlxGa1-xAs avec des couches -dopée d’être développé. Quandles dimensions de ces composants deviennent de plus en plus très petite, Cela nous emmène à prendre en considération les effets quantiques. On utilise le modèle quantique pour étudier les effets des différentes transitions de la bande de conduction et la variation entre le canal GaAs et la couche -dopée type n et l’épaisseur de cette couche -dopée à la température ambiante. Nous avons trouvé qu’une grande variation de bande conduction ou de la fraction molaire d’Al, les électrons sont confinés plus grand dans le canal GaAs. La surface entre le GaAs canal et la couche -dopée forme une barrière de potentiel, quand la barrière est petite la majorité des électrons se trouve dans le canal |
| Sommaire : |
Remerciement…………………………………………………………………....... I Table des matières………………………………………………………………… II Introduction générale……………………………………………………………… 1 CHAPITRE I: Théorie générale sur les hétéro-structures et le transistor HEMT I.1 Introduction……………………………………………………………………….. 2 I.2 Propriétés du matériau étudié…………………………………………………….. 2 I.2.1 Structure cristalline………………………………………………………………... 2 I.2.2 Structure des bandes d’énergie……………………………………………………. 4 I.2.3 L’alliage AlGaAs………………………………………………………………… 4 1.3 Les propriétés physiques et électroniques………………………………………… 5 1.3.1 Les propriétés physiques………………………………………………………….. 5 1.3.2 Propriétés électroniques………………………………………………………….. 6 I.4 L'hétérojonction AlGaAs/GaAs ………………………………………………… 6 I.5 Les transistors à effet de champ………………………………………………….. 8 I.5.1 Historique du transistor HEMT…………………………………………………... 8 I.5.2 Transistor HEMT …………………………………………………………………. 8 I.5.3 Structure d'un HEMT …………………………………………………………… 9 I.6 Hétérojonction et gaz bidimensionnel d'électrons ………………………………... 11 CHAPITRE II : MODELES MATHEMATIQUES II .1 Introduction………………………………………………………………………. 13 II .2 L’équation de Poisson…………………………………………………………….. 13 II .3 L’équation de Schrödinger ……………………………………………………….. 14 II .3.1 Approximation de la masse effective……………………………………………... 15 II .3.2 Energie potentielle des électrons………………………………………………….. 16 II .4 Confinement d’électrons et densité d’états………………………………………... 16 II .4.1 Densité d’états 3D ………………………………………………………………... 16 II .4.2 Densité d’états 2D ……………………………………………………………….. 17 II .4.3 Densité d’états 1D ………………………………………………………………... 2 CHAPITRE III : ETUDE DU TRANSISTOR HEMTAVEC COUCHES Δ DOPEE III.1 Introduction ………………………………………………………………............ 23 III.2 Description du HEMT ……………………………………………………………. 23 III.3 Energie potentielle et distributions des porteurs de charge ………………………. 24 III.4 Effet de la concentration du couche δ-dopée sur le confinement des électrons ...... 27 III.5 Effet du dopage de la couche δ-dopée sur la bande de conduction………………. 28 III.6 Etude quantique…………………………………………………………………… 29 III.7 Effet des paramètres………………………………………………………………. 37 III.7.1 Effet de l’épaisseur de la couche δ-dopée sur le confinement des porteurs dans le puits quantique …………………………………………………………………… 38 III.7.2 Effet de la distance (d) sur le confinement des porteurs dans le puits quantique… 40 III.7.3 Effet de la fraction molaire sur le confinent dans le puits quantique …………….. 43 III.8 Conclusion………………………………………………………………………... 44 conclusion générale |
Disponibilité (1)
| Cote | Support | Localisation | Statut |
|---|---|---|---|
| MPHY/483 | Mémoire master | bibliothèque sciences exactes | Consultable |
