| Titre : | Effet d’irradiation par des protons dans une cellule solaire en AlxGa1-x As/GaAs/Ge |
| Auteurs : | nassima Khineche, Auteur ; widad Laiadi, Directeur de thèse |
| Type de document : | Monographie imprimée |
| Editeur : | Biskra [Algérie] : Faculté des Sciences Exactes et des Sciences de la Nature et de la Vie, Université Mohamed Khider, 2019 |
| Format : | 1 vol. (70 p.): couv. ill. en coul / 29 cm |
| Langues: | Français |
| Résumé : |
Nous avons étudié les caractéristiques électriques de la cellule solaire à base de (AlGaAs / GaAs/ Ge) de structure p+nn+ sous éclairement AM0 par le logiciel de simulation SCAPS. Nous avons présenté les résultats de l’étude pour la cellule solaire (p+ -AlxGa1-xAs / p-GaAs / n+-Ge), les paramètres de la cellule externes diminuent, la tension de circuit ouvert ( |
| Sommaire : |
Dédicace Remerciements I Liste des Figures Liste des Tableaux Introduction générale……………………………………………………………………..……12 Chapitre I : Notion générale sur Le rayonnement solaire I.1 Introduction……………………………………………………………………………… ….15 I.2 Soleil………………………………………………………………………………………… 15 I.3 Le rayonnementsolaire…………………………………………………………………….....15 I.4 Différents types de rayonnement……………………………………………………………..16 I.4.1 Rayonnement ionisant ………………………………………………………………….16 I.4.2 Rayonnement non-ionisant……………………………………………………………...16 I.5 Caractéristiques de rayonnement solaire……………………………………………………..17 I.6 Le spectre solaire…………………………………………………………………………….18 I.7 Génération et recombinaison des porteurs de charges……………………………………….19 I.7.1 Génération de porteurs…………………………………………………………………19 I.7.2 Recombinaison de porteurs en excès…………………………………………………..20 I.8 L’irradiation par des protons…………………………………………………………………21 I.9 Les défauts profonds…………………………………………………………………………23 I.9.1 Caractéristiques des défauts profonds…………………………………………………..23 I.10 Conclusion…………………………………………………………………………………..25 Chapitre II : Les cellules solaires à base de AlxGa1-xAs/GaAs/Ge II.1 Introduction………………………………………………………………………………….27 II.2 Type des semi-conducteurs…………………………………………………………………27 II.2.1 Semi-conducteur intrinsèque……………………………………………………… .28 II.2.2 Semi-conducteur extrinsèque……………………………………………………… 29 II.2.2.1 Semi-conducteur dopé n………………………………………………………… 29 II.2.2.2 Semi-conducteur dopé p………………………………………………………… 30 II.3 Le Germanium Ge…………………………………………………………………………...30 II.3.1 Structure cristalline diamant de Germanium (Ge)……………………………………31 II.3.2 Structure de bande d'énergie de Germanium (Ge)……………………………………32 II.4 Les composés binaires GaAs………………………………………………………………..33 II.4.1 L'Arsenic de Gallium (GaAs)………………………………………………………….34 II.4.1.1 Structure cristalline de GaAs ……………………………………………………….35 II.4.1.2 Structure de bande d'énergie de GaAs………………………………………………35 II.4.2 Les composés ternaires AlxGa1-xAs…………………………………………………..36 II.5 La jonction P-N……………………………………………………………………………...37 II.6 Fonctionnement d'une cellule solaire photovoltaïque……………………………………….38 II.7 Hétérojonctions……………………………………………………………………………...39 II.8 Structure de bande et mécanisme de transport des porteurs d'une cellule solaire tri-jonction.41 II.9 Conclusion…………………………………………………………………………………...42 Chapitre III : Simulation numérique de la cellule solaire AlxGa1-xAs/GaAs/Ge par logiciel SCAPS III.1 Introduction…………………………………………………………………………………44 III.2 Utilisation de SCAPS……………………………………………………………………….44 III.2.1 Notion de base……………………………………………………………………….44 III.2.2 Définir le problème…………………………………………………………………..46 III.2.3 Ajout de défauts……………………………………………………………………...47 III.2.4 Les courbes (I-V) sous éclairement………………………………………….………50 III.3 La cellule solaire AlxGa1-xAs/GaAs/Ge……………………………………………………..51 III.3.1 La structure de la cellule solaire AlxGa1-xAs/GaAs/Ge……………………………...51 III.3.2 L’effet de la fluence d’irradiation …………………………………………………...54 III.3.3 L’effet d’énergie d’activation………………………………………………………..57 III.3.4 L’effet de l’épaisseur de l’émetteur (région p+-GaAs)……………………………...59 III.3.5 L’effet du dopage de l’émetteur (région p+-GaAs)………………………….………61 III.4 Conclusion…………………………………………………………………………………..63 Conclusion générale……………………………...……………………………………………..65 Références………………………………………………………………………………………67 |
Disponibilité (1)
| Cote | Support | Localisation | Statut |
|---|---|---|---|
| MPHY/469 | Mémoire master | bibliothèque sciences exactes | Consultable |
