| Titre : | Optimisation d'une cellule solaire à base de l'alliage Indium Nitrure de Gallium (InGaN) |
| Auteurs : | Khaoula Laiadi, Auteur ; Amjad Meftah, Directeur de thèse |
| Type de document : | Monographie imprimée |
| Editeur : | Biskra [Algérie] : Faculté des Sciences Exactes et des Sciences de la Nature et de la Vie, Université Mohamed Khider, 2018 |
| Format : | 1 vol. (91 p.) / 30 cm |
| Langues: | Français |
| Résumé : |
Dans ce travail, nous avons étudié une cellule solaire de structure np à base de l’alliage ternaire (In0.57Ga0.43N).Nous avons utilisé une logiciel de simulation SILVACO-ATLAS en supposant la température ambiante (T=300°K) et les conditions de l’obscurité, et de l’éclairement solaire hors atmosphère AM0. Ce logiciel nous a permit de calculer les caractéristiques électriques de la cellule comme les caractéristiques densité de courant – tension (J-V), puissance électrique – tension (P-V) et les paramètres photovoltaïques liés à ces caractéristiques tels que la densité du courant de court circuit ( |
| Sommaire : |
Table de matière Remerciement…………..………………………………………………………........................ i Tables des matières…………………………………………………………………............... ii Introduction générale……...………………………………………………...………………....1 Chapitre I : Description de l’alliage Indium Nitrure de Gallium (InGaN). I.1. Introduction ............................................................................................................................... 4 I.2. Définition de semi-conducteurs III-V ....................................................................................... 4 I.2.1. Les composés binaires ........................................................................................................... 5 I.2.2. Les composés ternaires et quaternaires .................................................................................. 6 I.3. Les nitrures d’éléments III ........................................................................................................ 7 I.4.Alliage ternaire InGaN ............................................................................................................... 9 I.5.Procédés du dopage des nitrures des éléments II……………………...…………………….17 I.6. Conclusion .............................................................................................................................. 18 Chapitre II: Cellules solaires à base de l'alliage Indium Nitrure de Gallium (InGaN). II.1. Introduction ........................................................................................................................... 19 II.2. Le soleil ................................................................................................................................. 19 II.3. Rayonnement solaire ............................................................................................................. 20 II.4. Conversion du rayonnement .................................................................................................. 24 II.5. Principe de fonctionnement d’une cellule photovoltaïque .................................................... 25 II.6. Cellule photovoltaïque à base d’InGaN ................................................................................. 31 iii II.6.1. Simple jonction ............................................................................................................ 31 II.6.2. Multi-jonctions ............................................................................................................ 33 II.6.3.Hétérojonction .............................................................................................................. 38 II.7. Conclusion ............................................................................................................................. 39 Chapitre III:Logiciel de simulation numérique Silvaco-Atlas. III.1. Introduction .......................................................................................................................... 40 III.2. Présentation du package des programmes SILVACO ......................................................... 40 III.3. Entrées et Sorties dans SILVACO-ATLAS ......................................................................... 43 III.3.1DECKBUILD ...................................................................................................................... 45 III.3.2.TONYPLOT ....................................................................................................................... 45 III.4. Logique de programmation .................................................................................................. 46 III.4.1.Spécification de la structure ............................................................................................... 49 III.4.1.1 Mesh ................................................................................................................................ 49 III.4.1.2. Région ............................................................................................................................ 50 III.4.1.3.Electrode .......................................................................................................................... 51 III.4.1.4.Doping ............................................................................................................................. 52 III.4.2.Fonctions d’occupation en mode AC ................................................................................. 53 III.4.2.1.Matériau .......................................................................................................................... 53 III.4.2.2.Models ............................................................................................................................. 54 III.4.2.3.Beam ................................................................................................................................ 57 iv III.4.2.4.Contact ............................................................................................................................ 58 III.4.3.Méthode de la solution ....................................................................................................... 58 III.4.4.Spécification des solutions ................................................................................................. 58 III.4.5. Analyses des résultats ........................................................................................................ 60 III.5. Contour général de construction d’ATLAS ......................................................................... 61 III.6. Conclusion ............................................................................................................................ 62 Chapitre IV: Optimisation d'une cellule solaire à base de l'alliage Indium Nitrure de Gallium (InGaN). IV.1. Introdection .......................................................................................................................... 63 IV.2.Description de la cellule solaire étudiée .............................................................................. 64 IV.3. Résultats et discussions ........................................................................................................ 70 IV. 4.Conclusion ........................................................................................................................... 80 Conclusion général ..................................................................................................................82 Références ………………………………………………………………………...……….…84 Résumer |
| Type de document : | Mémoire master |
Disponibilité (1)
| Cote | Support | Localisation | Statut |
|---|---|---|---|
| MPHY/453 | Mémoire master | bibliothèque sciences exactes | Consultable |
