| Titre : | simulation d'un transistor a haute mobilité d'électrons à base de GaAs (ALGaAs/InGaAs/GaAs HEMTs) |
| Auteurs : | Imane Remagui Temam, Auteur ; Nora Amele Abdeslam, Auteur |
| Type de document : | Monographie imprimée |
| Editeur : | Biskra [Algérie] : Faculté des Sciences Exactes et des Sciences de la Nature et de la Vie, Université Mohamed Khider, 2015 |
| ISBN/ISSN/EAN : | MPHY/242 |
| Format : | 64 |
Disponibilité (1)
| Cote | Support | Localisation | Statut |
|---|---|---|---|
| MPHY/242 | Mémoire | bibliothèque sciences exactes | Consultable |
